600 GHz le transistor
Taflematin
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Un transistor expérimental atteint les 600 gigahertz
Un nouveau type de transistor, créé par des scientifiques de l'Université de l'Illinois à Urbana-Champaign, a permis de franchir la fréquence de 600 gigahertz (GHz). Il est maintenant envisageable de concevoir un transistor atteignant la barre du terahertz, ce qui permettra une avancée majeure dans le domaine des applications gourmandes en vitesse de calcul.
Ce nouveau transistor – élaboré avec du phosphure d'indium et de l'arséniure de gallium d'indium – est conçu avec un collecteur, une base et un émetteur dont la composition a été déterminée afin de réduire le temps de passage des électrons et améliorer la densité du courant. Avec ce transistor, les chercheurs ont pu atteindre la fréquence record de 604 gigahertz. La fréquence de 509 gigahertz avait déjà été atteinte fin 2003 en utilisant le même procédé.
La conception d'un transistor atteignant le terahertz n'était pas possible en utilisant la structure traditionnelle. Selon Milton Feng, enseignant chercheur de l'Université de l'Illinois, "pour atteindre une telle vitesse dans une structure classique, la densité de courant serait si importante qu'elle ferait fondre les composants. Avec notre structure, nous pouvons opérer à des fréquences bien plus élevées tout en utilisant une densité de courant inférieure. Avec cette nouvelle structure matérielle, un transistor terahertz est réalisable".
Des transistors plus rapides permettront la réalisation d'ordinateurs plus rapides, de systèmes de communications sans fil plus flexibles et plus sécurisés, et des systèmes électroniques militaires plus efficaces.
Un transistor expérimental atteint les 600 gigahertz
Un nouveau type de transistor, créé par des scientifiques de l'Université de l'Illinois à Urbana-Champaign, a permis de franchir la fréquence de 600 gigahertz (GHz). Il est maintenant envisageable de concevoir un transistor atteignant la barre du terahertz, ce qui permettra une avancée majeure dans le domaine des applications gourmandes en vitesse de calcul.
Ce nouveau transistor – élaboré avec du phosphure d'indium et de l'arséniure de gallium d'indium – est conçu avec un collecteur, une base et un émetteur dont la composition a été déterminée afin de réduire le temps de passage des électrons et améliorer la densité du courant. Avec ce transistor, les chercheurs ont pu atteindre la fréquence record de 604 gigahertz. La fréquence de 509 gigahertz avait déjà été atteinte fin 2003 en utilisant le même procédé.
La conception d'un transistor atteignant le terahertz n'était pas possible en utilisant la structure traditionnelle. Selon Milton Feng, enseignant chercheur de l'Université de l'Illinois, "pour atteindre une telle vitesse dans une structure classique, la densité de courant serait si importante qu'elle ferait fondre les composants. Avec notre structure, nous pouvons opérer à des fréquences bien plus élevées tout en utilisant une densité de courant inférieure. Avec cette nouvelle structure matérielle, un transistor terahertz est réalisable".
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