Quel mémoire vive puis je mettre?
kranen
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magouero -
magouero -
Bonjour,
Je voudrai acheter de la memoire vive, mais je ne sais pas ce que je peux mettre.
Voici ce que EVEREST me dit.
Description du périphérique
DIMM1: Samsung M3 68L6523CUS-CCC
Champ Valeur
Propriétés du module mémoire
Nom du module Samsung M3 68L6523CUS-CCC
Numéro de série 0204F872h
Taille du module 512 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC3200 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh
Performances mémoire
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
Fonctionnalités du module mémoire
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
Description du périphérique
DIMM2: Samsung M3 68L6523CUS-CCC
Champ Valeur
Propriétés du module mémoire
Nom du module Samsung M3 68L6523CUS-CCC
Numéro de série 0204F869h
Taille du module 512 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC3200 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh
Performances mémoire
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
Fonctionnalités du module mémoire
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
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Merci pour vos reponses :-)
Je voudrai acheter de la memoire vive, mais je ne sais pas ce que je peux mettre.
Voici ce que EVEREST me dit.
Description du périphérique
DIMM1: Samsung M3 68L6523CUS-CCC
Champ Valeur
Propriétés du module mémoire
Nom du module Samsung M3 68L6523CUS-CCC
Numéro de série 0204F872h
Taille du module 512 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC3200 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh
Performances mémoire
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
Fonctionnalités du module mémoire
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
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Description du périphérique
DIMM2: Samsung M3 68L6523CUS-CCC
Champ Valeur
Propriétés du module mémoire
Nom du module Samsung M3 68L6523CUS-CCC
Numéro de série 0204F869h
Taille du module 512 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC3200 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh
Performances mémoire
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
Fonctionnalités du module mémoire
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
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Merci pour vos reponses :-)
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4 réponses
dans tous les cas fait bien attention car je viens de flinguer ma tour en essayant de mettre des barettes et je ne trouve personne pour me donner un coup de main !!!
Te reste t-il des slots mémoire disponibles ? Si oui, tu peux ajouter des barrettes de 512Mo ou 1go (voire 2go, mais utile), en prenant soin de respecter les normes suivantes : DDR SDRAM PC3200.
Bonjour, pour faire suite à ce message ce qui complètera aussi pour les autres lecteurs:
J'ai les mêmes barettes et il me reste 2 slots vides.
Dans le but de monter de 1 à 2 Go: Suis-je obligé de compléter par deux barrettes du même type (2x512) ou puis-je monter une de 1Go dans un des deux slots.
Question subsidiaire: si ajout barrette 1Go possible, aucune différence si on la met dans le slot 3 ou 4 ?
Merci a tous.
J'ai les mêmes barettes et il me reste 2 slots vides.
Dans le but de monter de 1 à 2 Go: Suis-je obligé de compléter par deux barrettes du même type (2x512) ou puis-je monter une de 1Go dans un des deux slots.
Question subsidiaire: si ajout barrette 1Go possible, aucune différence si on la met dans le slot 3 ou 4 ?
Merci a tous.
