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5 réponses
La ddr est toujours la meilleurs, mais la question n'est pas la, nous devons savoir ce que ta carte prend, tu ne peut pas mettre de la ddr dans une fente pour de la sdram. Un 800 doit prendre de la 133 et un 300 de la 100 ou de la 66, mais regarde avec le guide de ta carte mère.
A+
Dave Jeffrey
A+
Dave Jeffrey
ok merci
sinon pour savoir quelle carte mere est dans le pc, je dois l'ouvrir ou il y a possibilité de voir ce que c'est a partir de windows ?
sinon pour savoir quelle carte mere est dans le pc, je dois l'ouvrir ou il y a possibilité de voir ce que c'est a partir de windows ?
normalement, tu as reçu un petit livret décrivant les caractéristiques de ta carte-mère et ce qu'elle supporte...
salut kabba .moi je mettrais plutot de la sd ram car ce n est qu un pentium3!la ddr vasur les athlon ou encrore les pentium 4 mais sur ton processeur je mettrai plutot de la sd ram 256 ou meme 512 pour etre tranquille . cela ne sert a rien de depensr de l argent en plus pour a ddr pour voir des perfomances idem!bonne chance
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Bonjour, je vien de télécharger le logiciel AIDA, et j'ai un ordi de bureau packard bell qui a 512 mb de RAM et j'ai bricoler un peu et j'ai vu que j'avais 2 slots RAM et j'aimerai exploiter au maximum la mémoire physique de mon ordi. En vrai je voudrais 1G voir même 2 G mais je ne sais pas quel est le max de ma carte mère.
Mes barettes de RAM qui sont monté sur mon ordi sont de 256 mb les deux.
Merci de m'aider, je serai reconnaissant de l'aide de tout le monde !!!
Information:
Propriétés du module mémoire
Nom du module Samsung M3 68L3223FTN-CB3
Numéro de série 060EB9E8h
Date de fabrication Semaine 22 / 2004
Taille du module 256 Mo (1 rows, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC2700 (166 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh
Latence CAS maximale 2.5 (6.0 ns @ 166 MHz)
Deuxième latence CAS maximale 2.0 (7.5 ns @ 133 MHz)
Fonctionnalités du module mémoire
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
et l'autre module mémoire est :
Propriétés du module mémoire
Nom du module Micron Tech. 16VDDT6464AG-265B1
Numéro de série 3E066947h
Date de fabrication Semaine 5 / 2002
Taille du module 256 Mo (1 rows, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC2700 (166 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh
Latence CAS maximale 2.5 (6.0 ns @ 166 MHz)
Deuxième latence CAS maximale 2.0 (7.5 ns @ 133 MHz)
Fonctionnalités du module mémoire
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire
Nom de l'entreprise Micron Technology, Inc.
Information sur le produit http://www.micron.com/products/category.jsp?path=/DRAM
Mes barettes de RAM qui sont monté sur mon ordi sont de 256 mb les deux.
Merci de m'aider, je serai reconnaissant de l'aide de tout le monde !!!
Information:
Propriétés du module mémoire
Nom du module Samsung M3 68L3223FTN-CB3
Numéro de série 060EB9E8h
Date de fabrication Semaine 22 / 2004
Taille du module 256 Mo (1 rows, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC2700 (166 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh
Latence CAS maximale 2.5 (6.0 ns @ 166 MHz)
Deuxième latence CAS maximale 2.0 (7.5 ns @ 133 MHz)
Fonctionnalités du module mémoire
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
et l'autre module mémoire est :
Propriétés du module mémoire
Nom du module Micron Tech. 16VDDT6464AG-265B1
Numéro de série 3E066947h
Date de fabrication Semaine 5 / 2002
Taille du module 256 Mo (1 rows, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC2700 (166 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh
Latence CAS maximale 2.5 (6.0 ns @ 166 MHz)
Deuxième latence CAS maximale 2.0 (7.5 ns @ 133 MHz)
Fonctionnalités du module mémoire
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire
Nom de l'entreprise Micron Technology, Inc.
Information sur le produit http://www.micron.com/products/category.jsp?path=/DRAM
