Quellle ram choisir ?
emul34
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alain571 Messages postés 80 Statut Membre -
alain571 Messages postés 80 Statut Membre -
Bonjour,
Je possède actuellement 256 MO de ram en SD RAM j'aimerai virer mes deux barrettes des 128 MO pour mettre 512 mo mais vaut-il mieux mettre une de 512 ou deux de 256 mo quel marque est lesquelles les moins chères
Merci d'avance
Je possède actuellement 256 MO de ram en SD RAM j'aimerai virer mes deux barrettes des 128 MO pour mettre 512 mo mais vaut-il mieux mettre une de 512 ou deux de 256 mo quel marque est lesquelles les moins chères
Merci d'avance
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18 réponses
je dirait que ca depend de ta carte mere.... si tu connais... la marque et le modele... certaine ne pourrons peut etre pas supporter 512, d'autre oui.
un site qui peux t'aider c'est LDLC, tu devrais y trouver ta carte mere et dans les ref techenique il te diras tout...
en esperant que ca puisse t'aider...
un site qui peux t'aider c'est LDLC, tu devrais y trouver ta carte mere et dans les ref techenique il te diras tout...
en esperant que ca puisse t'aider...
salut tu doit avoir je pense des pc apollo 133 il me semble donc prend everest il te diras exactement ce que tu as comme rames en fonction de ca tu pourras allez voir sur plusieur site pour les commander
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a tu trouver avec everest ? tes rame si oui tu compare avec ceux la http://fr.crucial.com/eu/store/drammemory.aspx?gclid=CO_m2J-S85cCFQ7fZgodR00uDQ
Carte mère
--------------------------------------------------------------------------------
Propriétés de la carte mère:
Identifiant de la carte mère <DMI>
Nom de la carte mère Dell OptiPlex GX110
Propriétés du bus principal:
Type du bus Intel GTL+
Largeur du bus 64 bits
Horloge réelle 133 MHz
Horloge effective 133 MHz
Bande passante 1067 Mo/s
Propriétés du bus chipset:
Type du bus Intel Hub Interface
Largeur du bus 8 bits
Fabricant de la carte mère:
Nom de l'entreprise Dell Computer Corporation
Information sur le produit https://www.dell.com/fr-fr
Télécharger le BIOS http://support.dell.com
SPD
--------------------------------------------------------------------------------
[ DIMM1: Toshiba THMY6416H1EG-80 ]
Propriétés du module mémoire:
Nom du module Toshiba THMY6416H1EG-80
Numéro de série 0417D100h (13702916)
Date de fabrication Semaine 18 / 2000
Taille du module 128 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire SDRAM
Vitesse de mémoire PC100 (100 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module LVTTL
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Normal (15.625 us), Self-Refresh
Performances mémoire:
@ 125 MHz 3.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 100 MHz 2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)
Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Géré
Precharge All Géré
Write1/Read Burst Géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Non géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Toshiba America Electronic Components, Inc.
Information sur le produit http://www.toshiba.com/taec/cgi-bin/display.cgi?table=Family&FamilyID=7
[ DIMM2: [ TRIAL VERSION ] ]
Propriétés du module mémoire:
Nom du module [ TRIAL VERSION ]
Numéro de série 271DC909h (164175143)
Taille du module 128 Mo (2 ranks, 4 banks)
Type du module [ TRIAL VERSION ]
Type de mémoire SDRAM
Vitesse de mémoire PC100 (100 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module LVTTL
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Normal (15.625 us), Self-Refresh
Performances mémoire:
@ 100 MHz 3.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 83 MHz 2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)
Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Géré
Precharge All Géré
Write1/Read Burst Géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Non géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
Chipset
--------------------------------------------------------------------------------
[ North Bridge: Intel Whitney i810E ]
Propriétés du chipset North Bridge:
North Bridge Intel Whitney i810E
Vitesses FSB supportées 66 MHz, 100 MHz, 133 MHz
Types de mémoire gérés PC100 SDRAM
Quantité maximum de mémoire 512 Mo
Révision 03
Forme du composant 421 Pin BGA
Taille du composant 3.1 cm x 3.1 cm
Voltage au coeur 1.8 V
In-Order Queue Depth 4
Performances mémoire:
CAS Latency (CL) 3T
RAS To CAS Delay (tRCD) 2T
RAS Precharge (tRP) 2T
RAS Active Time (tRAS) 5T
Row Cycle Time (tRC) 7T
Slots mémoire:
Slot DRAM nº1 128 Mo (SDRAM)
Slot DRAM nº2 128 Mo (SDRAM)
Contrôleur graphique intégré:
Type du contrôleur graphique Intel i752
État du contrôleur graphique Activé
Taille de la mémoire partagée 1 Mo
Fabricant du chipset:
Nom de l'entreprise Intel Corporation
Information sur le produit https://www.intel.com/content/www/us/en/products/chipsets.html
Télécharger le pilote https://www.intel.com/content/www/us/en/support.html
Mise à jour de pilotes http://driveragent.com?ref=59
--------------------------------------------------------------------------------
Propriétés de la carte mère:
Identifiant de la carte mère <DMI>
Nom de la carte mère Dell OptiPlex GX110
Propriétés du bus principal:
Type du bus Intel GTL+
Largeur du bus 64 bits
Horloge réelle 133 MHz
Horloge effective 133 MHz
Bande passante 1067 Mo/s
Propriétés du bus chipset:
Type du bus Intel Hub Interface
Largeur du bus 8 bits
Fabricant de la carte mère:
Nom de l'entreprise Dell Computer Corporation
Information sur le produit https://www.dell.com/fr-fr
Télécharger le BIOS http://support.dell.com
SPD
--------------------------------------------------------------------------------
[ DIMM1: Toshiba THMY6416H1EG-80 ]
Propriétés du module mémoire:
Nom du module Toshiba THMY6416H1EG-80
Numéro de série 0417D100h (13702916)
Date de fabrication Semaine 18 / 2000
Taille du module 128 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire SDRAM
Vitesse de mémoire PC100 (100 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module LVTTL
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Normal (15.625 us), Self-Refresh
Performances mémoire:
@ 125 MHz 3.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 100 MHz 2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)
Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Géré
Precharge All Géré
Write1/Read Burst Géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Non géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Toshiba America Electronic Components, Inc.
Information sur le produit http://www.toshiba.com/taec/cgi-bin/display.cgi?table=Family&FamilyID=7
[ DIMM2: [ TRIAL VERSION ] ]
Propriétés du module mémoire:
Nom du module [ TRIAL VERSION ]
Numéro de série 271DC909h (164175143)
Taille du module 128 Mo (2 ranks, 4 banks)
Type du module [ TRIAL VERSION ]
Type de mémoire SDRAM
Vitesse de mémoire PC100 (100 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module LVTTL
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Normal (15.625 us), Self-Refresh
Performances mémoire:
@ 100 MHz 3.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 83 MHz 2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)
Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Géré
Precharge All Géré
Write1/Read Burst Géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Non géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
Chipset
--------------------------------------------------------------------------------
[ North Bridge: Intel Whitney i810E ]
Propriétés du chipset North Bridge:
North Bridge Intel Whitney i810E
Vitesses FSB supportées 66 MHz, 100 MHz, 133 MHz
Types de mémoire gérés PC100 SDRAM
Quantité maximum de mémoire 512 Mo
Révision 03
Forme du composant 421 Pin BGA
Taille du composant 3.1 cm x 3.1 cm
Voltage au coeur 1.8 V
In-Order Queue Depth 4
Performances mémoire:
CAS Latency (CL) 3T
RAS To CAS Delay (tRCD) 2T
RAS Precharge (tRP) 2T
RAS Active Time (tRAS) 5T
Row Cycle Time (tRC) 7T
Slots mémoire:
Slot DRAM nº1 128 Mo (SDRAM)
Slot DRAM nº2 128 Mo (SDRAM)
Contrôleur graphique intégré:
Type du contrôleur graphique Intel i752
État du contrôleur graphique Activé
Taille de la mémoire partagée 1 Mo
Fabricant du chipset:
Nom de l'entreprise Intel Corporation
Information sur le produit https://www.intel.com/content/www/us/en/products/chipsets.html
Télécharger le pilote https://www.intel.com/content/www/us/en/support.html
Mise à jour de pilotes http://driveragent.com?ref=59
dsi moi ta tour est a quels age on dirais quels 15 ans cette tour je me trompe ?
car du pc 100 t en trouve plus sinon regarde sur everest a coter clique sur memoire il te dit les ram
car du pc 100 t en trouve plus sinon regarde sur everest a coter clique sur memoire il te dit les ram
sa c'est la carte mere
Propriétés de la carte mère:
Identifiant de la carte mère <DMI>
Nom de la carte mère Dell OptiPlex GX110
Propriétés du bus principal:
Type du bus Intel GTL+
Largeur du bus 64 bits
Horloge réelle 133 MHz
Horloge effective 133 MHz
Bande passante 1067 Mo/s
Propriétés du bus chipset:
Type du bus Intel Hub Interface
Largeur du bus 8 bits
Fabricant de la carte mère:
Nom de l'entreprise Dell Computer Corporation
Information sur le produit https://www.dell.com/fr-fr
Télécharger le BIOS http://support.dell.com
Propriétés de la carte mère:
Identifiant de la carte mère <DMI>
Nom de la carte mère Dell OptiPlex GX110
Propriétés du bus principal:
Type du bus Intel GTL+
Largeur du bus 64 bits
Horloge réelle 133 MHz
Horloge effective 133 MHz
Bande passante 1067 Mo/s
Propriétés du bus chipset:
Type du bus Intel Hub Interface
Largeur du bus 8 bits
Fabricant de la carte mère:
Nom de l'entreprise Dell Computer Corporation
Information sur le produit https://www.dell.com/fr-fr
Télécharger le BIOS http://support.dell.com
[ DIMM1: Toshiba THMY6416H1EG-80 ]
Propriétés du module mémoire:
Nom du module Toshiba THMY6416H1EG-80
Numéro de série 0417D100h (13702916)
Date de fabrication Semaine 18 / 2000
Taille du module 128 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire SDRAM
Vitesse de mémoire PC100 (100 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module LVTTL
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Normal (15.625 us), Self-Refresh
Performances mémoire:
@ 125 MHz 3.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 100 MHz 2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)
Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Géré
Precharge All Géré
Write1/Read Burst Géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Non géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Toshiba America Electronic Components, Inc.
Information sur le produit http://www.toshiba.com/taec/cgi-bin/display.cgi?table=Family&FamilyID=7
[ DIMM2: [ TRIAL VERSION ] ]
Propriétés du module mémoire:
Nom du module [ TRIAL VERSION ]
Numéro de série 271DC909h (164175143)
Taille du module 128 Mo (2 ranks, 4 banks)
Type du module [ TRIAL VERSION ]
Type de mémoire SDRAM
Vitesse de mémoire PC100 (100 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module LVTTL
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Normal (15.625 us), Self-Refresh
Performances mémoire:
@ 100 MHz 3.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 83 MHz 2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)
Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Géré
Precharge All Géré
Write1/Read Burst Géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Non géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
Propriétés du module mémoire:
Nom du module Toshiba THMY6416H1EG-80
Numéro de série 0417D100h (13702916)
Date de fabrication Semaine 18 / 2000
Taille du module 128 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire SDRAM
Vitesse de mémoire PC100 (100 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module LVTTL
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Normal (15.625 us), Self-Refresh
Performances mémoire:
@ 125 MHz 3.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 100 MHz 2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)
Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Géré
Precharge All Géré
Write1/Read Burst Géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Non géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Toshiba America Electronic Components, Inc.
Information sur le produit http://www.toshiba.com/taec/cgi-bin/display.cgi?table=Family&FamilyID=7
[ DIMM2: [ TRIAL VERSION ] ]
Propriétés du module mémoire:
Nom du module [ TRIAL VERSION ]
Numéro de série 271DC909h (164175143)
Taille du module 128 Mo (2 ranks, 4 banks)
Type du module [ TRIAL VERSION ]
Type de mémoire SDRAM
Vitesse de mémoire PC100 (100 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module LVTTL
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Normal (15.625 us), Self-Refresh
Performances mémoire:
@ 100 MHz 3.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 83 MHz 2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)
Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Géré
Precharge All Géré
Write1/Read Burst Géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Non géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
