Changement de RAM
gitix
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yoanf26 Messages postés 7782 Statut Contributeur -
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Bonjour,
g sa :
[ DIMM1: Hyundai HYMD232M646A6-H ]
Propriétés du module mémoire:
Nom du module Hyundai HYMD232M646A6-H
Numéro de série 0F0AC142h
Taille du module 256 Mo (2 rows, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC2100 (133 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh
Performances mémoire:
@ 133 MHz 2.5-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 100 MHz 2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)
Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Hynix Semiconductor Inc.
Information sur le produit http://www.hynix.com/eng/02_products/01_dram/index.jsp
[ DIMM2: Infineon 64D32020GDL7B ]
Propriétés du module mémoire:
Nom du module Infineon 64D32020GDL7B
Numéro de série 01141014h
Date de fabrication Semaine 25 / 2003
Taille du module 256 Mo (2 rows, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC2100 (133 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh
Performances mémoire:
@ 142 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Infineon Technologies AG
Information sur le produit https://www.infineon.com/?oid=-8003
je veut mettre sa :
https://www.cdiscount.com/informatique/memoire-ram/l-10716.html
avec cette carte mere:
Propriétés de la carte mère:
Identifiant de la carte mère <DMI>
Nom de la carte mère Hewlett-Packard Evo N1050v
Propriétés du bus principal:
Type du bus Intel NetBurst
Largeur du bus 64 bits
Horloge réelle 100 MHz (QDR)
Horloge effective 400 MHz
Bande passante 3200 Mo/s
merci d'avance
g sa :
[ DIMM1: Hyundai HYMD232M646A6-H ]
Propriétés du module mémoire:
Nom du module Hyundai HYMD232M646A6-H
Numéro de série 0F0AC142h
Taille du module 256 Mo (2 rows, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC2100 (133 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh
Performances mémoire:
@ 133 MHz 2.5-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 100 MHz 2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)
Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Hynix Semiconductor Inc.
Information sur le produit http://www.hynix.com/eng/02_products/01_dram/index.jsp
[ DIMM2: Infineon 64D32020GDL7B ]
Propriétés du module mémoire:
Nom du module Infineon 64D32020GDL7B
Numéro de série 01141014h
Date de fabrication Semaine 25 / 2003
Taille du module 256 Mo (2 rows, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC2100 (133 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh
Performances mémoire:
@ 142 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Infineon Technologies AG
Information sur le produit https://www.infineon.com/?oid=-8003
je veut mettre sa :
https://www.cdiscount.com/informatique/memoire-ram/l-10716.html
avec cette carte mere:
Propriétés de la carte mère:
Identifiant de la carte mère <DMI>
Nom de la carte mère Hewlett-Packard Evo N1050v
Propriétés du bus principal:
Type du bus Intel NetBurst
Largeur du bus 64 bits
Horloge réelle 100 MHz (QDR)
Horloge effective 400 MHz
Bande passante 3200 Mo/s
merci d'avance
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http://www.rueducommerce.fr/Composants/Barrettes-Memoires/Memoires-Portables/RUEDUCOMMERCE/352243-Memoire-portable-RDC-SO-DIMM-DDR-PC-2100-512-Mo-266-MHz.htm
et sa
et sa