Incompatibilité CM/RAM ??!! Aidez moi,SVP !!

Bonjour tout le monde !!
Voilà, hier, je me suis acheté une nouvelle barette RAM de 1Go pr remplacer celle d'avant a 256 ^^ mais le blem c'est que y'a rien (le blackout sur mon moniteur) sachant que j'ai enlevé c'elle davant et mis la nouvelle.
Donc premier reflexe : Je confirme leurs deux references pr voir (c'est des ddr2) donc peut etre qu'il y'a incompatiblité avc la carte mere mais pr ca je ne suis pas calé ....
La suite logique, c'est que je consulte divers forums pr trouver la solution a mon blem mais bon entre latence, frequence et FSB ché pas koi ^^!! C'est comme chercher une aiguille ds une moeulle de foin.
Alors,SVP , je vous fille le max d'infos pr m'aider et voir si ma CM pourrai gérer ma nouvelle Ram acheté ; Merci .
Nouvelle Ram : (VRAM) DDR2 1 GB PC2-5300 DIMM / (VR667D264L5/1G)
Rapport everest concernant ma CM avc la barette de 256 (Incluse d'origine):

Carte mère

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Propriétés de la carte mère:
Identifiant de la carte mère <DMI>
Nom de la carte mère Hewlett-Packard HP Compaq dx6120 MT(EC726ES)

Propriétés du bus principal:
Type du bus Intel GTL+
Largeur du bus 64 bits
Horloge réelle 200 MHz (QDR)
Horloge effective 800 MHz
Bande passante 6400 Mo/s

Propriétés du bus mémoire:
Type du bus DDR2 SDRAM
Largeur du bus 64 bits
Ratio DRAM:FSB 8:6
Horloge réelle 267 MHz (DDR)
Horloge effective 533 MHz
Bande passante [ TRIAL VERSION ] Mo/s

Propriétés du bus chipset:
Type du bus Intel Direct Media Interface

SPD

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[ DIMM1: Samsung M3 78T3354BZ3-CD5 ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Samsung M3 78T3354BZ3-CD5
Numéro de série 450E6C9Ch (2624327237)
Date de fabrication Semaine 31 / 2005
Taille du module 256 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered DIMM
Type de mémoire DDR2 SDRAM
Vitesse de mémoire DDR2-533 (266 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 1.8
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us)

Performances mémoire:
@ 266 MHz 5-4-4-11 (CL-RCD-RP-RAS) / 15-28-3-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 266 MHz 4-4-4-11 (CL-RCD-RP-RAS) / 15-28-3-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 200 MHz 3-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-21-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)

Chipset

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[ North Bridge: Intel Grantsdale-G i915G ]

Propriétés du chipset North Bridge:
North Bridge Intel Grantsdale-G i915G
Vitesses FSB supportées FSB533, FSB800
Types de mémoire gérés DDR-333 SDRAM, DDR-400 SDRAM, DDR2-400 SDRAM, DDR2-533 SDRAM
Quantité maximum de mémoire 4 Go
Révision / Stepping 04 / B1
Forme du composant 1210 Pin FC-BGA
Taille du composant 3.75 cm x 3.75 cm
Voltage au coeur 1.5 V
In-Order Queue Depth 12

Contrôleur mémoire:
Type Dual Channel (128 bits)
Mode actif Single Channel (64 bits)

Performances mémoire:
CAS Latency (CL) 4T
RAS To CAS Delay (tRCD) 4T
RAS Precharge (tRP) 4T
RAS Active Time (tRAS) 11T
Refresh Period (tREF) 7.8 us

Correction d'erreurs:
ECC Non géré
ChipKill ECC Non géré
RAID Non géré
ECC Scrubbing Non géré

Slots mémoire:
Slot DRAM nº1 256 Mo (DDR2-533 DDR2 SDRAM)

Contrôleur graphique intégré:
Type du contrôleur graphique Intel GMA 900
État du contrôleur graphique Activé
Taille du frame buffer graphique 8 Mo