Incompatibilité CM/RAM ??!!
Fermé
'Del Amox
-
19 oct. 2008 à 16:16
Selectrox Messages postés 11 Date d'inscription dimanche 19 octobre 2008 Statut Membre Dernière intervention 20 octobre 2008 - 19 oct. 2008 à 16:36
Selectrox Messages postés 11 Date d'inscription dimanche 19 octobre 2008 Statut Membre Dernière intervention 20 octobre 2008 - 19 oct. 2008 à 16:36
A voir également:
- Incompatibilité CM/RAM ??!!
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2 réponses
eliot34
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lundi 14 avril 2008
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183
19 oct. 2008 à 16:19
19 oct. 2008 à 16:19
bonjour,
quel et le modèle de ta carte mère?
quel et le modèle de ta carte mère?
Selectrox
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11
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dimanche 19 octobre 2008
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20 octobre 2008
19 oct. 2008 à 16:36
19 oct. 2008 à 16:36
RE, Dsl j'ai oublié le plus important !! Selectrox AKA 'del Amox !!
Carte mère
--------------------------------------------------------------------------------
Propriétés de la carte mère:
Identifiant de la carte mère <DMI>
Nom de la carte mère Hewlett-Packard HP Compaq dx6120 MT(EC726ES)
Propriétés du bus principal:
Type du bus Intel GTL+
Largeur du bus 64 bits
Horloge réelle 200 MHz (QDR)
Horloge effective 800 MHz
Bande passante 6400 Mo/s
Propriétés du bus mémoire:
Type du bus DDR2 SDRAM
Largeur du bus 64 bits
Ratio DRAM:FSB 8:6
Horloge réelle 267 MHz (DDR)
Horloge effective 533 MHz
Bande passante [ TRIAL VERSION ] Mo/s
Propriétés du bus chipset:
Type du bus Intel Direct Media Interface
SPD
--------------------------------------------------------------------------------
[ DIMM1: Samsung M3 78T3354BZ3-CD5 ]
Propriétés du module mémoire:
Nom du module Samsung M3 78T3354BZ3-CD5
Numéro de série 450E6C9Ch (2624327237)
Date de fabrication Semaine 31 / 2005
Taille du module 256 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered DIMM
Type de mémoire DDR2 SDRAM
Vitesse de mémoire DDR2-533 (266 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 1.8
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us)
Performances mémoire:
@ 266 MHz 5-4-4-11 (CL-RCD-RP-RAS) / 15-28-3-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 266 MHz 4-4-4-11 (CL-RCD-RP-RAS) / 15-28-3-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 200 MHz 3-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-21-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Chipset
--------------------------------------------------------------------------------
[ North Bridge: Intel Grantsdale-G i915G ]
Propriétés du chipset North Bridge:
North Bridge Intel Grantsdale-G i915G
Vitesses FSB supportées FSB533, FSB800
Types de mémoire gérés DDR-333 SDRAM, DDR-400 SDRAM, DDR2-400 SDRAM, DDR2-533 SDRAM
Quantité maximum de mémoire 4 Go
Révision / Stepping 04 / B1
Forme du composant 1210 Pin FC-BGA
Taille du composant 3.75 cm x 3.75 cm
Voltage au coeur 1.5 V
In-Order Queue Depth 12
Contrôleur mémoire:
Type Dual Channel (128 bits)
Mode actif Single Channel (64 bits)
Performances mémoire:
CAS Latency (CL) 4T
RAS To CAS Delay (tRCD) 4T
RAS Precharge (tRP) 4T
RAS Active Time (tRAS) 11T
Refresh Period (tREF) 7.8 us
Correction d'erreurs:
ECC Non géré
ChipKill ECC Non géré
RAID Non géré
ECC Scrubbing Non géré
Slots mémoire:
Slot DRAM nº1 256 Mo (DDR2-533 DDR2 SDRAM)
Contrôleur graphique intégré:
Type du contrôleur graphique Intel GMA 900
État du contrôleur graphique Activé
Taille du frame buffer graphique 8 Mo
Carte mère
--------------------------------------------------------------------------------
Propriétés de la carte mère:
Identifiant de la carte mère <DMI>
Nom de la carte mère Hewlett-Packard HP Compaq dx6120 MT(EC726ES)
Propriétés du bus principal:
Type du bus Intel GTL+
Largeur du bus 64 bits
Horloge réelle 200 MHz (QDR)
Horloge effective 800 MHz
Bande passante 6400 Mo/s
Propriétés du bus mémoire:
Type du bus DDR2 SDRAM
Largeur du bus 64 bits
Ratio DRAM:FSB 8:6
Horloge réelle 267 MHz (DDR)
Horloge effective 533 MHz
Bande passante [ TRIAL VERSION ] Mo/s
Propriétés du bus chipset:
Type du bus Intel Direct Media Interface
SPD
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[ DIMM1: Samsung M3 78T3354BZ3-CD5 ]
Propriétés du module mémoire:
Nom du module Samsung M3 78T3354BZ3-CD5
Numéro de série 450E6C9Ch (2624327237)
Date de fabrication Semaine 31 / 2005
Taille du module 256 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered DIMM
Type de mémoire DDR2 SDRAM
Vitesse de mémoire DDR2-533 (266 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 1.8
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us)
Performances mémoire:
@ 266 MHz 5-4-4-11 (CL-RCD-RP-RAS) / 15-28-3-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 266 MHz 4-4-4-11 (CL-RCD-RP-RAS) / 15-28-3-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 200 MHz 3-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-21-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Chipset
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[ North Bridge: Intel Grantsdale-G i915G ]
Propriétés du chipset North Bridge:
North Bridge Intel Grantsdale-G i915G
Vitesses FSB supportées FSB533, FSB800
Types de mémoire gérés DDR-333 SDRAM, DDR-400 SDRAM, DDR2-400 SDRAM, DDR2-533 SDRAM
Quantité maximum de mémoire 4 Go
Révision / Stepping 04 / B1
Forme du composant 1210 Pin FC-BGA
Taille du composant 3.75 cm x 3.75 cm
Voltage au coeur 1.5 V
In-Order Queue Depth 12
Contrôleur mémoire:
Type Dual Channel (128 bits)
Mode actif Single Channel (64 bits)
Performances mémoire:
CAS Latency (CL) 4T
RAS To CAS Delay (tRCD) 4T
RAS Precharge (tRP) 4T
RAS Active Time (tRAS) 11T
Refresh Period (tREF) 7.8 us
Correction d'erreurs:
ECC Non géré
ChipKill ECC Non géré
RAID Non géré
ECC Scrubbing Non géré
Slots mémoire:
Slot DRAM nº1 256 Mo (DDR2-533 DDR2 SDRAM)
Contrôleur graphique intégré:
Type du contrôleur graphique Intel GMA 900
État du contrôleur graphique Activé
Taille du frame buffer graphique 8 Mo