Choisir une barrette de mémoire vive

Bonjour,j'aimerais savoir quelle barrette de mémoire vive je peux ajouter avec ma configuration. D'avance merci.
Carte mère
Je ne m'y connais pas bien en informatique.
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Propriétés de la carte mère:
Identifiant de la carte mère 12/13/2005-RS480-SB400-6A666M4DC-00
Nom de la carte mère MSI Amethyst-M

Propriétés du bus principal:
Type du bus AMD Hammer
Horloge réelle 200 MHz
Horloge effective 200 MHz
Horloge HyperTransport [ TRIAL VERSION ]

Propriétés du bus mémoire:
Type du bus DDR SDRAM
Largeur du bus 64 bits
Ratio DRAM:FSB CPU/14
Horloge réelle 156 MHz (DDR)
Horloge effective 313 MHz
Bande passante [ TRIAL VERSION ] Mo/s

Fabricant de la carte mère:
Nom de l'entreprise Micro-Star Int'l Co.,Ltd.
Information sur le produit http://global.msi.com.tw/index.php?func=prodpage2&maincat_no=1&cat2_no=170
Télécharger le BIOS http://global.msi.com.tw/index.php?func=downloadindex

Mémoire

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Mémoire physique:
Total [ TRIAL VERSION ]
Utilisé [ TRIAL VERSION ]
Disponible 310 Mo
Utilisation [ TRIAL VERSION ]

Zone de swap:
Total 2457 Mo
Utilisé 648 Mo
Disponible 1808 Mo
Utilisation 26 %

Mémoire virtuelle:
Total 3479 Mo
Utilisé 1360 Mo
Disponible 2118 Mo
Utilisation 39 %

Paging File:
Paging File C:\pagefile.sys
Grandeur initiale / maximale 1536 Mo / 3072 Mo
Grandeur actuelle 1536 Mo
Utilisation actuelle / maximale historique 220 Mo / 226 Mo
Utilisation 14 %

Physical Address Extension (PAE):
Supporté par le système d'exploitation Oui
Supporté par le processeur Oui
Active Oui

SPD

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[ DIMM1: Samsung M3 68L6523CUS-CCC ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module Samsung M3 68L6523CUS-CCC
Numéro de série 060E3189h (2301693446)
Taille du module 512 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC3200 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh

Performances mémoire:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-14-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)

Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré

Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm

[ DIMM2: [ TRIAL VERSION ] ]

Propriétés du module mémoire:
Nom du module [ TRIAL VERSION ]
Numéro de série Aucun(e)
Date de fabrication Semaine 50 / 2005
Taille du module 512 Mo (2 ranks, 4 banks)
Type du module [ TRIAL VERSION ]
Type de mémoire DDR SDRAM
Vitesse de mémoire PC3200 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 2.5
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us), Self-Refresh

Performances mémoire:
@ 200 MHz 2.5-4-4-8 (CL-RCD-RP-RAS)

Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Non géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Géré
Redundant Row Address Non géré