Bonjour,
Voici le rapport Everest:
--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
[ DIMM1: Samsung M3 78T3354BZ0-CCC ]
Propriétés du module mémoire:
Nom du module Samsung M3 78T3354BZ0-CCC
Numéro de série 030FEA55h
Date de fabrication Semaine 20 / 2005
Taille du module 256 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR2 SDRAM
Vitesse de mémoire DDR2-400 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 1.8
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us)
Performances mémoire:
@ 200 MHz 5.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 200 MHz 4.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Non géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
[ DIMM3: Samsung M3 78T3354BZ0-CCC ]
Propriétés du module mémoire:
Nom du module Samsung M3 78T3354BZ0-CCC
Numéro de série 030FEBA5h
Date de fabrication Semaine 20 / 2005
Taille du module 256 Mo (1 rank, 4 banks)
Type du module Unbuffered
Type de mémoire DDR2 SDRAM
Vitesse de mémoire DDR2-400 (200 MHz)
Largeur du module 64 bit
Voltage du module SSTL 1.8
Méthode de détection d'erreurs Aucun(e)
Taux de rafraîchissement Réduit (7.8 us)
Performances mémoire:
@ 200 MHz 5.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 200 MHz 4.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
Fonctionnalités du module mémoire:
Early RAS# Precharge Géré
Auto-Precharge Non géré
Precharge All Non géré
Write1/Read Burst Non géré
Buffered Address/Control Inputs Non géré
Registered Address/Control Inputs Non géré
On-Card PLL (Clock) Non géré
Buffered DQMB Inputs Non géré
Registered DQMB Inputs Non géré
Differential Clock Input Non géré
Redundant Row Address Non géré
Fabricant du module mémoire:
Nom de l'entreprise Samsung
Information sur le produit http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm
--------[ Carte mère ]--------------------------------------------------------------------------------------------------
Propriétés de la carte mère:
Identifiant de la carte mère <DMI>
Nom de la carte mère Dell Dimension 5000
Propriétés du bus principal:
Type du bus Intel NetBurst
Largeur du bus 64 bits
Horloge réelle 200 MHz (QDR)
Horloge effective 800 MHz
Bande passante 6400 Mo/s
Propriétés du bus mémoire:
Type du bus Dual DDR2 SDRAM
Largeur du bus 128 bits
Horloge réelle 200 MHz (DDR)
Horloge effective 400 MHz
Bande passante 6400 Mo/s
Propriétés du bus chipset:
Type du bus Intel Direct Media Interface
Fabricant de la carte mère:
Nom de l'entreprise Dell Computer Corporation
Information sur le produit
https://www.dell.com/fr-fr
Télécharger le BIOS http://support.dell.com
Mes questions:
Sachant que je souhaite monter à un minimun de 1 Go (WinXP + Edition photo + Edition video)
1/ Ai-je intérêt à remplacer cette mémoire par une plus rapide?
2/ Que dois-je acheter? Je ne retrouve pas ce modèle (3200U) sur Internet.
Merci,
A+ K.
